DRV8711总是报Pre

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一、DRV8711 Pre-driver fault检测原理

        DRV8711的内部有一个模拟比较器，当驱动外部FET进行开关时会把Vgs电压与1V进行比较，从而判断Pre-driver fault与否。

        当驱动FET打开后，会进行2.2us的延时，延时结束后，会采集Vgs（栅极到源极）的电压，然后与1V进行比较，如果高于1V说明驱动正常，如果低于1V，则会报Pre-driver fault。

        当驱动FET关闭后，会进行2.2us的延时，延时结束后，会采集Vgs（栅极到源极）的电压，然后与1V进行比较，如果低于1V说明关闭正常，如果高于1V，则会报Pre-driver fault。

二、Vgs电压过高的原因

MOS管等效模型如上，MOS管可以进一步简化为：

当上管进行开关动作时，比如上管由关断到开通，下管的漏极电压会迅速上升，则Vgd就会增大，给Cgd电容充电，从而形成电流Ic，因为DRV8711的栅极是关断的，Ic只能通过Cgs到S极形成回路。Ic电流流动的同时，也会通过栅极驱动线上寄生电感注入少量电流到芯片端，寄生电感和电容会产生LC震荡，容易使DRV8711误检测。

三、处理方法

1、优化PCB layout，使得芯片驱动回路尽量短减小寄生电感Lleak的大小。

2、减小芯片Ic的值。因为MOS管的Cgd无法改变，可以通过改变上管的打开和关闭速度来降低dv/dt实现Ic的减小，具体通过修改0x6h寄存器的IDRIVEN和IDRIVEP来实现。Ic计算公式为：

3、加大Cgs来改善，Cgs变大以后，同样的电流Ic产生的Vgs电压变化变小。

4、加电阻Rdriver 来抑制Lleak造成的振荡，从而降低芯片端的监测电压。

四、解决过程

先把IDRIVEN和IDRIVEP设置为最低，看问题能不能解决。如果不行就给四个下管的栅极前串联限流电阻，一般47欧姆到100欧姆，同时要把死区改大，防止贯通。一般这样就可以解决了。

参考来源：

https://e2echina.ti.com/question_answer/analog/other_analog/f/60/t/91771

http://e2echina.ti.com/blogs_/b/motordrivecontrol/archive/2017/08/07/drv8711

http://e2e.ti.com/support/motor-drivers/f/38/t/396386?tisearch=e2e-sitesearch&keymatch=DRV8711%20PDF

网址：DRV8711总是报Pre https://www.yuejiaxmz.com/news/view/552310

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