长鑫存储申请半导体结构及其制作方法专利，降低电阻

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金融界2024年12月19日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制作方法”的专利，公开号 CN 119136535 A，申请日期为 2023 年 6 月。

专利摘要显示，本公开提供一种半导体结构及其制作方法，涉及半导体技术领域，用于改善字线结构电阻较大的技术问题。该半导体结构的制作方法包括：在基底层内形成字线沟槽；形成随形覆盖字线沟槽的栅介质层；形成随形覆盖栅介质层的扩散阻挡层，其中，位于字线沟槽中的扩散阻挡层包括第一子部和除第一子部之外的剩余子部；覆盖剩余子部并暴露第一子部，氧化部分第一子部；在字线沟槽内形成覆盖扩散阻挡层的金属层，其中，在形成金属层的过程中，被氧化的第一子部与用于形成金属层的前驱体反应而被去除，以减少字线沟槽内扩散阻挡层的体积，增大字线沟槽的金属层的体积，降低电阻。此外，被氧化的第一子部无需单独去除，简化半导体结构的制作。

本文源自：金融界

作者：情报员

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