L6569AD013TR 10V 16.6V N沟道 MOSFET 8

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 L6569AD013TR 10V 16.6V N沟道 MOSFET 8-SOIC ST 具有振荡器的高电压半桥

型号 品牌 封装 备注 L6569AD013TR ST 8SOIC 原装正品

TW2835 5V/3.3V/2.6V/1.3V 电源 汽车应用 4.5V/45V SSOP36 INFINEON

L6569AD013TRPDF资料

L6569AD013TR的特征：

■ 高电压可达600V

■ BCD离线技术

■ 内部自动排列二极管结构体

■ 15.6V ZENER钳位VS

■ 驱动器电流能力：

   SINK电流= 270mA

   源电流= 170mA

■ 非常低的启动电流：150μA

■ 低电压锁定

    HYSTERESIS

■ 可编程振荡器频率

■ 死时间1.25μs

■ dV / dt免疫高达±50V / ns

■ ESD保护

L6569AD013TR的描述：

该器件是一个高压半桥驱动器，内置振荡器。 可以使用外部电阻和电容对振荡器的频率进行编程。

器件的内部电路允许它也通过外部逻辑信号驱动。

输出驱动器设计用于驱动外部n沟道功率MOSFET和IGBT。 内部逻辑确定死区时间

[typ。 1.25μs]，以避免功率器件的交叉导通。

有两种版本可供选择：L6569和L6569A。 Theydiffer在低电压门控启动序列

L6569AD013TR的框图：

一般信息 数据列表 L6569(A); 标准包装   2,500 包装   标准卷带  类别 集成电路（IC） 产品族 PMIC - 栅极驱动器 系列 - 其它名称 497-5359-2 
L6569AD013TR-ND 
规格 驱动配置 半桥 通道类型 同步 栅极类型 IGBT，N 沟道 MOSFET 电压 - 电源 10 V ~ 16.6 V 逻辑电压 - VIL，VIH - 电流 - 峰值输出（灌入，拉出） 170mA，270mA 输入类型 RC 输入电路 高压侧电压 - 最大值（自举） 600V 上升/下降时间（典型值） - 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 表面贴装 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装 8-SO

企    业：深圳市轩嘉盛电子有限公司

联系人：吴小姐

手    机：13590334401

传    真：0755-88600656

Q      Q：3343956557

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