用于LED街灯照明的高效可靠电源

发布时间：2024-11-25 04:00

使用能源效率高的LED灯泡替代传统照明。 #生活技巧# #环保生活技巧# #电子设备节能设置#

简介
相比传统照明技术，LED灯效率高，使用寿命长。因而成为首选灯泡类型，以期减少室内/外照明的能耗。事实上，对于街灯而言，更高的效率和更长的寿命对于降低成本是必不可少的。为LED灯供电而设计的开关电源也必须具有高效率和耐用性，以确保其具有与LED灯同样长的免维护使用期。在这里，谐振转换器是最流行的电源拓扑之一，这是因为相比先前的电源拓扑，它们的性能带来了更高的电源效率并可减少EMI。软开关是谐振转换器的一个重要特点。但谐振转换器中使用的体二极管有时会导致系统故障。体二极管中的存储电荷必须被完全清除，以避免出现大电流和电压尖刺，包括拓扑结构中的高dv/dt和高di/dt。因而，功率MOSFET的关键参数如Qrr和反向恢复dv/dt直接影响了谐振转换器的动态性能。本文将探讨针对LED街灯照明的开关电源的整体解决方案。新的谐振控制器结合新的功率开关，可为LED照明电源提供高效解决方案，同时不会影响转换器的耐用性和成本效率。

谐振转换器实现高效率
业界已经推出数种DC-DC功率转换拓扑以减少功率转换损耗、MOSFET器件应力和射频干扰(radio frequency interference，RFI)，同时实现高功率密度。其中，谐振转换器利用MOSFET的体二极管进行零电压开关(zero voltage switching, ZVS)，获业界证实为达到更高效率的有效器件。特别地，由于次级端无电感器，LLC谐振转换器可在高输入电压下达到高效率，并且次级整流管上的电压应力较低。此外，即便空载条件下，LLC谐振转换器也能保证零电压开关工作。ZVS技术能够显著减少转换损耗并大幅提高效率。零电压开关也显著减少了开关噪声，允许使用小型电磁干扰过滤器。鉴于这些独特的特性，LLC谐振转换器正在成为流行的拓扑，用于包括LED街灯的众多应用。FAN7621S提供了构造可靠、稳健的LLC谐振转换器所需的全部功能，包含高端栅极驱动电路、精确的电流受控振荡器、频率限制电路、软启动和内置保护功能，能够简化设计和提高可生产性。所提供的多种保护功能有过压和过流保护(OVP/OCP)、异常过流保护(AOCP)和内部过热关断(TSD)功能。

鉴于LED街灯照明的特殊应用要求，所有的保护功能可以自动重启，高端栅极驱动电路具有共模消噪性能和优良的抗噪性能，能够保证稳定工作。即便使用最新的谐振控制器，在输出短路状况下，转换器的工作点可以移入零电流开关(ZCS)区域。图1显示了工作点的移动状况。在此状况下，ZVS丢失而MOSFET上流过极大的电流。ZVS工作的最严重缺点是在启动时发生硬开关，这会导致MOSFET体二极管产生反向恢复应力。体二极管在很大的dv/dt下关断，因而，在非常大的di/dt下，会产生很大的反向恢复电流尖刺，这些尖刺电流的幅度可以超过稳态电流的十倍量级。大电流会带来相当大的损耗增加并使MOSFET发热。而后，MOSFET的dv/dt性能由于结点温升而下降，在极端状况下，可能损坏MOSFET并导致系统故障。

图1. 根据负载条件而变化的LLC谐振转换器工作点

最新MOSFET技术
典型状况下，MOSFET体二极管具有很长的反向恢复时间和较大的反向恢复电荷。尽管性能不佳，在某些应用如谐振转换器中，体二极管仍被用作续流(freewheeling)二极管，因为它能够简化电路，不会增加系统成本。由于越来越多的应用使用固有的体二极管作为系统的关键组件，飞兆半导体深入分析了MOSFET失效机理，针对谐振转换器设计了全新的高度优化的功率MOSFET产品，提升了体二极管的稳健性并减少了输出电容的储能。如表1所述，相比于其它方案，全新UniFET™ II MOSFET系列的反向恢复电荷(Qrr)显著减少了50%和88%。

表1. 被测器件(DUT)关键规格参数比较

M OSFET的电容是非线性的并且依赖于漏源电压，因为它的电容本质上是结电容。对于软开关应用，MOSFET输出电容可用作谐振元件。当MOSFET导通时，从变压器储存的磁化能量中获取的电流流动使得MOSFET的输出电容放电，以便达到ZVS条件。因此，若MOSFET输出电容中储能较少，则为达到软开关而所需的谐振能量也较少，无需增加循环能量。相比导通电阻相同的其它竞争对手器件，在典型的开关电源大电容电压下，UniFET™ II MOSFET系列在输出电容中的储能减少约35%。图2所示为输出电容的储能评测。

表2. 输出电容中的储能

对谐振转换器的益处
二极管从导通状态变化至反向阻断状态的转换过程叫做反向恢复。在二极管正向导通期间，电荷被储存在二极管的P-N结中。当施加反向电压时，所存储的电荷会被消除从而返回到阻断状态。可通过两种现象进行储存电荷的消除：大反向电流的流过和复合。在此过程中，二极管中产生大反向恢复电流。就MOSFET体二极管来说，某些反向恢复电流就在N+源极下流动。图3显示了在体二极管反向恢复期间MOSFET的失效波形。对于竞争产品A，故障就发生在电流水平达到最大反向恢复电流后，即dv/dt为6.87V/ns。这意味着峰值电流触发了寄生双极结晶体管(BJT)，但UniFET™ II MOSFET系列则能避免，直到dv/dt达到更高的14.32V/ns。